ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），开发出6款沟槽栅结构※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。

此次新开发的系列产品采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可降低约35％，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。

另外，罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”，该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC（BM6101FV-C）、各种电源IC及分立产品，可为客户提供轻松进行元器件评估的解决方案。
本系列产品已于2019年8月起以月产50万个的规模逐步投入量产（样品价格2,100日元起，不含税）。生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈）。此外，本系列产品和评估板已于2019年9月起开始网售，可从AMEYA360、icHub购买。

近年来，随着AI和IoT的发展与普及，对云服务的需求日益增加，与此同时，在全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展，而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面，以往服务器的功率转换电路中，主要采用的是硅（Si）元器件，如今，损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特别是采用了TO-247-4L封装的SiC MOSFET，与以往封装相比，可降低开关损耗，因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。

2015年，ROHM于全球第一家成功实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产，并一直致力于领先于行业的产品开发。此次新开发出650V／1200V耐压的低损耗SiC MOSFET，未来也会继续推进创新型元器件的开发，同时提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决方案，为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。

＜特点＞

采用4引脚封装（TO-247-4L），开关损耗降低约35％

在传统的3引脚封装（TO-247N）中，源极引脚的电感分量※2）会引起栅极电压下降，并导致开关速度延迟。

此次，SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装（TO-247-4L），可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚，因此，可减少电感分量的影响。这样，能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能，尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。

＜产品阵容＞

SCT3xxx xR系列是采用沟槽栅结构的SiC MOSFET。此次新推出了共6款机型，其中包括650V的3款机型和1200V的3款机型。

＜应用＞

服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。

＜评估板信息＞

SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配备了非常适用于SiC元器件驱动的ROHM栅极驱动器IC（BM6101FV-C）、各种电源IC及分立产品，可轻松进行元器件的评估。为了提供在同一条件下的评估环境，该评估板不仅可以评估TO-247-4L封装的产品，还可安装并评估TO-247N封装的产品。另外，使用该评估板，可进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等评估。

开始销售时间　2019年9月
评估板型号　　P02SCT3040KR-EVK-001
网售平台　　　AMEYA360、icHub
支持页面　　　https://www.rohm.com.cn/power-device-support

＜术语解说＞

※1  沟槽栅结构

沟槽（Trench）意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻，比平面结构更容易实现微细化，有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。

※2  电感分量

表示电流变化时由电磁感应产生的电动势大小的量。